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JAN2N3439L Microsemi


124290-lds-0022-1-datasheet
Hersteller: Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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Technische Details JAN2N3439L Microsemi

Description: TRANS NPN 350V 1A TO5, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Supplier Device Package: TO-5, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 2µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Qualification: MIL-PRF-19500/368, Grade: Military, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
JAN2N3439L NES 124290-lds-0022-1-datasheet
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JAN2N3439L 124290-lds-0022-1-datasheet
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