JAN2N3501 Microchip / Microsemi
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 34.83 EUR |
| 10+ | 33.12 EUR |
| 100+ | 25.53 EUR |
| 250+ | 25.09 EUR |
| 500+ | 24.09 EUR |
| 1000+ | 23.56 EUR |
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Technische Details JAN2N3501 Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39, Qualification: MIL-PRF-19500/366, Grade: Military, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| JAN2N3501 | MOTOROLA |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| JAN2N3501 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT BJTs |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| JAN2N3501 |
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