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JAN2N3716 MOTOROLA

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Hersteller: MOTOROLA

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Technische Details JAN2N3716 MOTOROLA

Description: TRANS NPN 80V 10A TO3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V, Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA), Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 5 W, Qualification: MIL-PRF-19500/408.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
JAN2N3716 Microchip Technology 6049-2n3715-pdf Description: TRANS NPN 80V 10A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/408
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JAN2N3716 Microchip / Microsemi 2N3715_2N3716_MIL_PRF_19500_408-3499828.pdf Bipolar Transistors - BJT 80V 10A 5W NPN Power BJT THT
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JAN2N3716 6049-2n3715-pdf
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 10A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/408
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Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 80V 10A 5W NPN Power BJT THT
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