JAN2N4150
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Technische Details JAN2N4150
Description: TRANS NPN 70V 10A TO5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V, Supplier Device Package: TO-5, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/394.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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JAN2N4150 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 70V 10A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-5 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/394 |
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| JAN2N4150 | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 70 V Power BJT |
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| JAN2N4150 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 70V 10A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/394
Description: TRANS NPN 70V 10A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/394
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| JAN2N4150 |
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Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 70 V Power BJT
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