JAN2N4449UA Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: UA
Grade: Military
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/317
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Technische Details JAN2N4449UA Microchip Technology
Description: SMALL-SIGNAL BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 400nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V, Supplier Device Package: UA, Grade: Military, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 500 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/317.
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| JAN2N4449UA | Microchip / Microsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 15V 600MW NPN Small-Signal BJT THT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JAN2N4449UA |
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Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 15V 600MW NPN Small-Signal BJT THT
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Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH