JAN2N5339U3 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 100V 100UA U-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 µA
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-3 (TO-276AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-276AA
Packaging: Bulk
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details JAN2N5339U3 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 100V 100UA U-3, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 µA, Part Status: Active, Supplier Device Package: U-3 (TO-276AA), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-276AA, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote JAN2N5339U3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N5339U3 | Microchip / Microsemi |
 Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JAN2N5339U3 |
|
Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH