JAN2N5671
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Technische Details JAN2N5671
Description: TRANS NPN 90V 30A TO3, Power - Max: 6 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 10mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN2N5671 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 90V 30A TO3 Power - Max: 6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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JAN2N5671 | Microchip / Microsemi |
 Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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| JAN2N5671 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 90V 30A TO3
Power - Max: 6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 90V 30A TO3
Power - Max: 6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
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| JAN2N5671 |
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Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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