JAN2N657
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Technische Details JAN2N657
Description: TRANS NPN 100V 0.02A TO5, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-5, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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JAN2N657 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 100V 0.02A TO5 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5 Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk |
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| JAN2N657 | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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| JAN2N657 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 100V 0.02A TO5
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 100V 0.02A TO5
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Part Status: Active
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Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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| JAN2N657 |
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Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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