JANKCDR2N2907A Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: SMALL-SIGNAL BJT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Power - Max: 500 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
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Technische Details JANKCDR2N2907A Microchip Technology
Description: SMALL-SIGNAL BJT, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Power - Max: 500 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Packaging: Bulk, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| JANKCDR2N2907A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANKCDR2N2907A |
Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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