JANS2N2946A Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: SMALL-SIGNAL BJT
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-46
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 500mV
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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Technische Details JANS2N2946A Microchip Technology
Description: SMALL-SIGNAL BJT, Power - Max: 400 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-46, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 500mV, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| JANS2N2946A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANS2N2946A |
Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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