JANS2N3439 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 350V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/368
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Technische Details JANS2N3439 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 350V 1A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 2µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 800 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/368.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| JANS2N3439 | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT THT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| JANS2N3439 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 1A; 800mW; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 1A Case: TO39 Mounting: THT Power dissipation: 0.8W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANS2N3439 |
![]() |
Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANS2N3439 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 1A; 800mW; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 1A
Case: TO39
Mounting: THT
Power dissipation: 0.8W
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 1A; 800mW; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 1A
Case: TO39
Mounting: THT
Power dissipation: 0.8W
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