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Technische Details JANS2N3637L Microsemi
Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5AA, Qualification: MIL-PRF-19500/357, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Grade: Military, Supplier Device Package: TO-5AA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote JANS2N3637L
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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JANS2N3637L | Microchip Technology |
 Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5AAQualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-5AA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANS2N3637L | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Long-Lead Small-Signal BJT THT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| JANS2N3637L | Semicoa Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 140V 1A 3-Pin TO-5 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| JANS2N3637L | Microsemi |
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-5 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANS2N3637L |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5AA
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-5AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5AA
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-5AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| JANS2N3637L |
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Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Long-Lead Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Long-Lead Small-Signal BJT THT
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Stück im Wert von UAH
| JANS2N3637L |
|
Hersteller: Semicoa Semiconductors
Trans GP BJT PNP 140V 1A 3-Pin TO-5
Trans GP BJT PNP 140V 1A 3-Pin TO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANS2N3637L |
|
Hersteller: Microsemi
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-5 Tray
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-5 Tray
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Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen
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