JANS2N5416UA Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 300V 1A UA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Qualification: MIL-PRF-19500/485
Power - Max: 750 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Military
Supplier Device Package: UA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
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Technische Details JANS2N5416UA Microchip Technology
Description: TRANS PNP 300V 1A UA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Qualification: MIL-PRF-19500/485, Power - Max: 750 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Grade: Military, Supplier Device Package: UA, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| JANS2N5416UA | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 300 V Power BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANS2N5416UA |
|
Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 300 V Power BJT
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Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH