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Technische Details JANSF2N3439U4 Microchip Technology
Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 1A; 800mW, Type of transistor: NPN, Polarisation: bipolar, Collector-emitter voltage: 350V, Collector current: 1A, Mounting: SMD, Power dissipation: 0.8W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| JANSF2N3439U4 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| JANSF2N3439U4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 1A; 800mW Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 1A Mounting: SMD Power dissipation: 0.8W |
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| JANSF2N3439U4 |
Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT
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| JANSF2N3439U4 |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 1A; 800mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 1A
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.8W
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 1A; 800mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 1A
Mounting: SMD
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