JANTX1N4101UR-1 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 6.24 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-213AA
Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Qualification: MIL-PRF-19500/435
Grade: Military
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
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Technische Details JANTX1N4101UR-1 Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO213AA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 6.24 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA, Power - Max: 500 mW, Part Status: Active, Supplier Device Package: DO-213AA, Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Qualification: MIL-PRF-19500/435, Grade: Military, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-213AA, Tolerance: ±5%, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTX1N4101UR-1 | MICROSEMI |
1N4101UR-1JANTX 1N4101UR Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTX1N4101UR-1 |
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