JANTX1N4150UR-1 Microchip / Microsemi
Hersteller: Microchip / MicrosemiDiodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode
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Technische Details JANTX1N4150UR-1 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-213AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: DO-213AA, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/231.
Weitere Produktangebote JANTX1N4150UR-1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| JANTX1N4150UR-1 | Hersteller : MICROSEMI |
1N4150UR-1JANTX 1N4150 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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JANTX1N4150UR-1 | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 75V 0.4A 4ns 2-Pin DO-213AA Bag |
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| JANTX1N4150UR-1 | Hersteller : VPT Components |
SEMICONDUCTOR DEVICE, DIODE, SWITCHING, SILICON |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| JANTX1N4150UR-1 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-213AA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/231 |
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