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Technische Details JANTX1N5623 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 500 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 12V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 1000 V, Qualification: MIL-PRF-19500/429.
Weitere Produktangebote JANTX1N5623
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTX1N5623 | MICROSEMI |
 A/FAST RECOVERY GLASS RECTIFIER (100-500NS) 1N5623Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| JANTX1N5623 | Semtech |
MIL 1A FAST RECTIFIER POWER DISCR 1N5623 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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JANTX1N5623 | Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 12V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 1000 V Qualification: MIL-PRF-19500/429 |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
JANTX1N5623 | Semtech |
ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 1A FAST 1KV HR |
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| JANTX1N5623 |
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Hersteller: MICROSEMI
A/FAST RECOVERY GLASS RECTIFIER (100-500NS) 1N5623
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
A/FAST RECOVERY GLASS RECTIFIER (100-500NS) 1N5623
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| JANTX1N5623 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 1000 V
Qualification: MIL-PRF-19500/429
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 1000 V
Qualification: MIL-PRF-19500/429
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| JANTX1N5623 |
|
Hersteller: Semtech
ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 1A FAST 1KV HR
ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 1A FAST 1KV HR
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