JANTX1N5806US

JANTX1N5806US Microchip / Microsemi


LDS_0211_1_2c_2b1N5802US_1N5804US_1N5806US_URS__2c-3442506.pdf Hersteller: Microchip / Microsemi
Rectifiers 150V 1A UFR,FRR SQ SMT
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Technische Details JANTX1N5806US Microchip / Microsemi

Description: DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V, Qualification: MIL-PRF-19500/477.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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JANTX1N5806US JANTX1N5806US Hersteller : Microchip Technology 132687-lds-0211-1.pdf Rectifier Diode Switching 150V 2.5A 25ns 2-Pin A-MELF Bag
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JANTX1N5806US Hersteller : MICROSEMI 132687-lds-0211-1-datasheet n2vW72dmsFukRxvboF1ueMdvF.JZRrX4D.MX9pIAtro A_SQ._MELF/ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N5806
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JANTX1N5806US Hersteller : Semtech 132687-lds-0211-1-datasheet n2vW72dmsFukRxvboF1ueMdvF.JZRrX4D.MX9pIAtro Ultra Fast Rectifier POWER DISCR 1N5806
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JANTX1N5806US JANTX1N5806US Hersteller : Microchip Technology 132687-lds-0211-1-datasheet Description: DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
Qualification: MIL-PRF-19500/477
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JANTX1N5806US Hersteller : Semtech Corporation n2vW72dmsFukRxvboF1ueMdvF.JZRrX4D.MX9pIAtro Description: DIODE GEN PURP 150V 1.1A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.1A
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
Qualification: MIL-PRF-19500/477
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