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JANTX1N5809

JANTX1N5809 Microchip Technology

LDS-0168-1%2C+1N5807US-1N5809US-1N5811US%28URS%29%2C+MIL-PRF-19500-477.pdf Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/477
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Technische Details JANTX1N5809 Microchip Technology

Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/477.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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JANTX1N5809 JANTX1N5809 Hersteller : Microchip / Microsemi LDS_0168_2c_2b1N5807_1N5809_1N5811_2c_2bMIL_PRF_19-3442448.pdf Rectifiers 110V 3A UFR,FRR THT
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JANTX1N5809 JANTX1N5809 Hersteller : Microchip Technology lds-0168.pdf Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin Case E Bag
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JANTX1N5809 Hersteller : MICROSEMI LDS-0168-1%2C+1N5807US-1N5809US-1N5811US%28URS%29%2C+MIL-PRF-19500-477.pdf B_(WT)Ultra Fast Rectifier (less than 100ns) 1N5809
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JANTX1N5809 Hersteller : Semtech LDS-0168-1%2C+1N5807US-1N5809US-1N5811US%28URS%29%2C+MIL-PRF-19500-477.pdf MIL 6A SUPERFAST RECT POWER DISCR 1N5809
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