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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.44 EUR |
| 25+ | 11.33 EUR |
| 100+ | 10.84 EUR |
| 500+ | 10.63 EUR |
| 1000+ | 10.61 EUR |
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Technische Details JANTX1N5809 Microchip / Microsemi
Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V, Qualification: MIL-PRF-19500/477.
Weitere Produktangebote JANTX1N5809
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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JANTX1N5809 | Hersteller : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin Case E Bag |
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JANTX1N5809 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 |
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| JANTX1N5809 | Hersteller : MICROSEMI |
B_(WT)Ultra Fast Rectifier (less than 100ns) 1N5809 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| JANTX1N5809 | Hersteller : Semtech |
MIL 6A SUPERFAST RECT POWER DISCR 1N5809 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |