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JANTX1N5811US

JANTX1N5811US Microchip / Microsemi

LDS_0168_1_2c_2b1N5807US_1N5809US_1N5811US_URS__2c-3442268.pdf Hersteller: Microchip / Microsemi
Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT
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Technische Details JANTX1N5811US Microchip / Microsemi

Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V, Qualification: MIL-PRF-19500/477.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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JANTX1N5811US JANTX1N5811US Hersteller : Microchip Technology 124792-lds-0168-1-datasheet Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Qualification: MIL-PRF-19500/477
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JANTX1N5811US Hersteller : MICROSEMI 124792-lds-0168-1-datasheet MELF/VOIDLESS - HERMETICALLY- SEALED ULTRAFAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5811
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JANTX1N5811US Hersteller : Semtech 124792-lds-0168-1-datasheet Ultra Fast Rectifier POWER DISCR 1N5811
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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