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JANTX2N2907A

JANTX2N2907A Microchip Technology

8896-lds-0059-datasheet Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO206AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/291
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Anzahl Preis
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Technische Details JANTX2N2907A Microchip Technology

Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO206AA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/291.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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JANTX2N2907A JANTX2N2907A Hersteller : Microchip / Microsemi 2N2906A_2N2907A_MIL_PRF_19500_291-3499782.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT
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JANTX2N2907A Hersteller : MICROSEMI 8896-lds-0059-datasheet TO-18PNP Transistor 2N2907A
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JANTX2N2907A JANTX2N2907A Hersteller : Semicoa 3prf19500ss291.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18
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