JANTX2N3499

JANTX2N3499 Microchip Technology


124375-lds-0192-datasheet Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT BJTs
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Technische Details JANTX2N3499 Microchip Technology

Description: TRANS NPN 100V 0.5A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/366.

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JANTX2N3499 124375-lds-0192-datasheet
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JANTX2N3499 JANTX2N3499 Hersteller : Semicoa 2n3499-r.pdf Trans GP BJT NPN 100V 0.5A 3-Pin TO-39
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JANTX2N3499 JANTX2N3499 Hersteller : Microchip Technology 124375-lds-0192-datasheet Description: TRANS NPN 100V 0.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
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