JANTX2N3635 Microchip Technology
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|---|---|
| 7+ | 29.32 EUR |
| 10+ | 25.91 EUR |
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Technische Details JANTX2N3635 Microchip Technology
Description: TRANS PNP 140V 1A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/357.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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JANTX2N3635 | Microchip Technology |
 Description: TRANS PNP 140V 1A TO39Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 |
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| JANTX2N3635 | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 140V 1A 1W Small-Signal BJT THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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JANTX2N3635 | Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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JANTX2N3635 | Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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JANTX2N3635 | Semicoa Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 140V 1A 3-Pin TO-39 |
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| JANTX2N3635 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 140V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Description: TRANS PNP 140V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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| JANTX2N3635 |
|
Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 140V 1A 1W Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 140V 1A 1W Small-Signal BJT THT
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| JANTX2N3635 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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| JANTX2N3635 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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| JANTX2N3635 |
|
Hersteller: Semicoa Semiconductors
Trans GP BJT PNP 140V 1A 3-Pin TO-39
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