JANTX2N3635 Microchip Technology
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| 10+ | 25.03 EUR |
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Technische Details JANTX2N3635 Microchip Technology
Description: TRANS PNP 140V 1A TO39, Qualification: MIL-PRF-19500/357, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Grade: Military, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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JANTX2N3635 | Microchip Technology |
 Description: TRANS PNP 140V 1A TO39Qualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk |
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| JANTX2N3635 | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 140V 1A 1W Small-Signal BJT THT |
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JANTX2N3635 | Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
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JANTX2N3635 | Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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JANTX2N3635 | Semicoa Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 140V 1A 3-Pin TO-39 |
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| JANTX2N3635 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 140V 1A TO39
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: TRANS PNP 140V 1A TO39
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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| JANTX2N3635 |
|
Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 140V 1A 1W Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 140V 1A 1W Small-Signal BJT THT
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| JANTX2N3635 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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Stück im Wert von UAH
| JANTX2N3635 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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| JANTX2N3635 |
|
Hersteller: Semicoa Semiconductors
Trans GP BJT PNP 140V 1A 3-Pin TO-39
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