JANTX2N3637 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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Technische Details JANTX2N3637 Microchip Technology
Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5, Qualification: MIL-PRF-19500/357, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Grade: Military, Supplier Device Package: TO-5, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote JANTX2N3637 nach Preis ab 16.93 EUR bis 18.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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JANTX2N3637 | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Small-Signal BJT THT |
auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| JANTX2N3637 | MICROSEMI |
2N3637JANTX 2N3637 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTX2N3637 |
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Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 18.23 EUR |
| 250+ | 16.93 EUR |