JANTXV1N5554 MICROSEMI
Hersteller: MICROSEMIB/STANDARD RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) JANTXV1N5554
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Technische Details JANTXV1N5554 MICROSEMI
Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V.
Weitere Produktangebote JANTXV1N5554
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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JANTXV1N5554 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V |
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