Jantxv2N2945AUB/TR Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 500mV
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: MIL-PRF-19500/382
Grade: Military
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Technische Details Jantxv2N2945AUB/TR Microchip Technology
Description: TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT, Power - Max: 400 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: UB, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 500mV, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: MIL-PRF-19500/382, Grade: Military.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| Jantxv2N2945AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Jantxv2N2945AUB/TR |
Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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