JANTXV2N3583 Microchip Technology



Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 175V 1A TO66
Power - Max: 35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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Technische Details JANTXV2N3583 Microchip Technology

Description: TRANS NPN 175V 1A TO66, Power - Max: 35 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
JANTXV2N3583 Microchip / Microsemi Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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JANTXV2N3583
Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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