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JANTXV2N3700 Microchip / Microsemi

Name: JANTXV2N3700
Brand: Microchip / Microsemi
SKU: 5025777-4
Price: 8.52 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT

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Technische Details JANTXV2N3700 Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18, Qualification: MIL-PRF-19500/391, Grade: Military, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Packaging: Bulk.

Weitere Produktangebote JANTXV2N3700

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
JANTXV2N3700	MICROSEMI	TO18/Low Power NPN Silicon Transistor 2N3700 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
JANTXV2N3700	Microchip Technology	Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18 Qualification: MIL-PRF-19500/391 Grade: Military Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
JANTXV2N3700	onsemi	Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18-3 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

JANTXV2N3700

Hersteller: MICROSEMI
TO18/Low Power NPN Silicon Transistor 2N3700
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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JANTXV2N3700

Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18
Qualification: MIL-PRF-19500/391
Grade: Military
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk

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JANTXV2N3700

Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18-3
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500

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