JANTXV2N3767P Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Power - Max: 25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Bulk
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Technische Details JANTXV2N3767P Microchip Technology
Description: POWER BJT, Power - Max: 25 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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| JANTXV2N3767P | Microchip / Microsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 80V 4A NPN Pin-D Test Power BJT THT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N3767P |
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Hersteller: Microchip / Microsemi
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Stück im Wert von UAH