JANTXV2N5303
Hersteller:
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details JANTXV2N5303
Description: TRANS NPN 60V 20A TO3, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bulk, Qualification: MIL-PRF-19500/456, Power - Max: 20 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Grade: Military, Supplier Device Package: TO-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V.
Weitere Produktangebote JANTXV2N5303
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
JANTXV2N5303 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 60V 20A TO3 Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/456 Power - Max: 20 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
JANTXV2N5303 | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N5303 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 60V 20A TO3
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/456
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V
Description: TRANS NPN 60V 20A TO3
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/456
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5303 |
![]() |
Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH



