JANTXV2N6301P Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Power - Max: 75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Bulk
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Technische Details JANTXV2N6301P Microchip Technology
Description: POWER BJT, Power - Max: 75 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN - Darlington, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTXV2N6301P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 8A 75W NPN Pin D Test Power BJT THT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6301P |
Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 80V 8A 75W NPN Pin D Test Power BJT THT
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Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH