JANTXV2N6341
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Technische Details JANTXV2N6341
Description: TRANS NPN 150V 25A TO3, Qualification: MIL-PRF-19500/509, Power - Max: 200 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Grade: Military, Supplier Device Package: TO-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 2.5A, 25A, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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JANTXV2N6341 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 150V 25A TO3 Qualification: MIL-PRF-19500/509 Power - Max: 200 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 2.5A, 25A Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk |
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| JANTXV2N6341 | Microchip / Microsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 150V 25A NPN Power BJT THT |
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| JANTXV2N6341 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 150V 25A TO3
Qualification: MIL-PRF-19500/509
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 2.5A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 150V 25A TO3
Qualification: MIL-PRF-19500/509
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 2.5A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
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| JANTXV2N6341 |
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Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 150V 25A NPN Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 150V 25A NPN Power BJT THT
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