Jantxv2N718A Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO18
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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Technische Details Jantxv2N718A Microchip Technology
Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO18, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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| Jantxv2N718A | Microchip / Microsemi |
 Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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Hersteller: Microchip / Microsemi
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