Technische Details K4B4G1646E-BYMA Samsung
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V/1.5V 96-Pin FBGA.
Weitere Produktangebote K4B4G1646E-BYMA
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| K4B4G1646E-BYMA | Samsung | DRAMs Parts and Modules Мікросхеми пам'яті |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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K4B4G1646E-BYMA | Samsung Semiconductor |
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V/1.5V 96-Pin FBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| K4B4G1646E-BYMA |
Hersteller: Samsung
DRAMs Parts and Modules Мікросхеми пам'яті
DRAMs Parts and Modules Мікросхеми пам'яті
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| K4B4G1646E-BYMA |
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Hersteller: Samsung Semiconductor
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V/1.5V 96-Pin FBGA
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