Technische Details K4H511638F-LCCC SAMSUNG
Статична пам'ять DDR SDRAM, Uживл, В = 2,3...2,7, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-66 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 960 Stücke.
Weitere Produktangebote K4H511638F-LCCC
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| K4H511638F-LCCC | Samsung |
Статична пам'ять DDR SDRAM, Uживл, В = 2,3...2,7, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-66 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 960 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| K4H511638F-LCCC |
![]() |
Hersteller: Samsung
Статична пам'ять DDR SDRAM, Uживл, В = 2,3...2,7, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-66 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Статична пам'ять DDR SDRAM, Uживл, В = 2,3...2,7, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-66 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH

