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K4S161622DTC80 SAMSUNG


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Technische Details K4S161622DTC80 SAMSUNG

Синхронная динамическая память (SDRAM) (512K x 16 bit x 2 banks, 80ns (125MHz), Vs=3.3V, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II)50 Од. вим: шт.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
K4S161622D-TC80 SAMSUNG   TSOP
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K4S161622D-TC80
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TSOP
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