Technische Details K4S561632E-TC75000 Samsung
Синхронная динамическая память (SDRAM) (16M x 4 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V, , -55 to +150C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 480 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| K4S561632E-TC75000 | Samsung |
Синхронная динамическая память (SDRAM) (16M x 4 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V, , -55 to +150C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 480 Stücke |
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| K4S561632E-TC75000 |
Hersteller: Samsung
Синхронная динамическая память (SDRAM) (16M x 4 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V, , -55 to +150C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 480 Stücke
Синхронная динамическая память (SDRAM) (16M x 4 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V, , -55 to +150C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
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