Technische Details K6F1616U6CFF55 SAMSUNG
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 16, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-48 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote K6F1616U6CFF55
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| K6F1616U6C-FF55 | Samsung |
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 16, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-48 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
verfügbar 64 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| K6F1616U6C-FF55 |
![]() |
Hersteller: Samsung
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 16, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 16, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 64 Stücke:

