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K6R1008V1DUI10 SAMSUNG


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Technische Details K6R1008V1DUI10 SAMSUNG

Быстрая статическая память (64K x 18, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-32 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
K6R1008V1D-UI10 Samsung ds_k6r1008v1d_rev30.pdf (=K6R1008V1D-TI10 без свинца) Мікросхеми пам'яті
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K6R1008V1D-UI10 Samsung Быстрая статическая память (64K x 18, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-32 Од. вим: шт
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K6R1008V1D-UI10
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Быстрая статическая память (64K x 18, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-32 Од. вим: шт
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