Technische Details K6R1008V1DUI10 SAMSUNG
Быстрая статическая память (64K x 18, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-32 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote K6R1008V1DUI10
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| K6R1008V1D-UI10 | Hersteller : Samsung |
 (=K6R1008V1D-TI10 без свинца) Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| K6R1008V1D-UI10 | Hersteller : Samsung |
Быстрая статическая память (64K x 18, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-32 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |