Technische Details K6T0808C1DDB55 SAMSUNG
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| K6T0808C1D-DB55 | SAMSUNG | DIP |
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| K6T0808C1D-DB55 |
Hersteller: SAMSUNG
DIP
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