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K6T1008C2C-DB70 SAMSUNG


Hersteller: SAMSUNG
04+ DIP32
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Technische Details K6T1008C2C-DB70 SAMSUNG

IC > IC Speicher, Gehäuse: DIP-32, Beschreibung: 128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM, Strom.V: 4,5...5,5V, T°C: -40...+85°C, 6: SRAM.

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K6T1008C2CDB70 Hersteller : SAMSUNG
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K6T1008C2C-DB70 K6T1008C2C-DB70
Produktcode: 59980
Hersteller : Samsung datasheet-k6t1008c2c.pdf IC > IC Speicher
Gehäuse: DIP-32
Beschreibung: 128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM
Strom.V: 4,5...5,5V
T°C: -40...+85°C
6: SRAM
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