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K6T4008C1BVB55 SAMSUNG



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Technische Details K6T4008C1BVB55 SAMSUNG

SRAM 512K#8 55ns, 5V, low power 80мА/20мкА, 0...+70, TSOP2-F-32 Мікросхеми пам'яті.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
K6T4008C1B-VB55 SAMSUNG 01+
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