Technische Details K6X1008T2D-GF70 SAMSUNG
Статическая память (SRAM), Об. пам. 128K*8, ннтерфейс параллельный, Тдост 70 нс, Тэксп,С -40+85, Vcc,В 2,7~3.6 В,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote K6X1008T2D-GF70
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| K6X1008T2D-GF70 | Hersteller : Samsung |
Статическая память (SRAM), Об. пам. 128K*8, ннтерфейс параллельный, Тдост 70 нс, Тэксп,С -40+85, Vcc,В 2,7~3.6 В,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |