Technische Details K9HCG08U1MPCB0 SAMSUNG
память NAND Flash; Vcc,В =2.7...3.6V; Интерфейс paral; Об. пам. =64Gbit; Тдост =25ns; Тэксп, °С 0...+70; TSOPI.
Weitere Produktangebote K9HCG08U1MPCB0
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| K9HCG08U1M-PCB0 | Hersteller : SAMSUNG | 08+ SMD |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| K9HCG08U1M-PCB0 | Hersteller : SAMSUNG | TSOP 09+PBF |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| K9HCG08U1MPCB0 | Hersteller : Samsung | память NAND Flash; Vcc,В =2.7...3.6V; Интерфейс paral; Об. пам. =64Gbit; Тдост =25ns; Тэксп, °С 0...+70; TSOPI |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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K9HCG08U1M-PCB0 Produktcode: 186252
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Lieblingsprodukt
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IC > IC Speicher |
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