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KBL408G

KBL408G GeneSiC Semiconductor

kbl408g-3477763.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 4A Bridge Rectifier
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Technische Details KBL408G GeneSiC Semiconductor

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A KBL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, KBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBL, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 4 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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KBL408-G KBL408-G Hersteller : Comchip Technology 1251kbl4005-g20thru319633.20kbl410-g20revc.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 4A 4-Pin Case KBL Box
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KBL408-G KBL408-G Hersteller : Comchip Technology KBL4005_G_Thru821337__KBL410_G_RevD-2506081.pdf Bridge Rectifiers VRRM=800V IF=4.0A
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KBL408G KBL408G Hersteller : GeneSiC Semiconductor kbl408g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 4A 4-Pin Case KBL
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KBL408G Hersteller : GeneSiC Semiconductor kbl406g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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KBL408-G KBL408-G Hersteller : Comchip Technology KBL4005-G%20Thru821239.%20KBL410-G%20RevD.PDF Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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