KBL610G GeneSiC Semiconductor
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13+ | 4.24 EUR |
18+ | 2.99 EUR |
25+ | 2.6 EUR |
100+ | 2.11 EUR |
250+ | 1.83 EUR |
500+ | 1.65 EUR |
1000+ | 1.48 EUR |
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Technische Details KBL610G GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, KBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBL, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 6 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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KBL610G | Hersteller : GeneSiC Semiconductor | Rectifier Bridge Diode Single 1KV 6A 4-Pin Case KBL |
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KBL610G | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBL Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBL Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 6 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
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