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KBP08 Discrete Semiconductors


Hersteller: Discrete Semiconductors
2A, 800V Діодні мости малопотужні
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Technische Details KBP08 Discrete Semiconductors

Category: Flat single phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat, Type of bridge rectifier: single-phase, Max. off-state voltage: 0.8kV, Load current: 2A, Max. forward impulse current: 50A, Version: flat, Case: KBP, Electrical mounting: THT, Max. forward voltage: 1.1V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
KBP08 MIC 2A, 800V Діодні мости малопотужні
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KBP08 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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KBP08
Hersteller: MIC
2A, 800V Діодні мости малопотужні
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KBP08
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
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