KBP154G C2 Taiwan Semiconductor
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Діодний міст вивідний, Uзвор, В = 400, If, A = 1,5, Uf, В = 1,1, Тексп, °С = -55...+150, Тип мосту = однофазний,... Діоди Корпус: SIP-4 (KBP) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 70 Stücke:
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details KBP154G C2 Taiwan Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A KBP, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A, Current - Average Rectified (Io): 1.5 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V, Supplier Device Package: KBP, Technology: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Diode Type: Single Phase, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 4-SIP, KBP, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote KBP154G C2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| KBP154G C2 | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A KBP Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A Current - Average Rectified (Io): 1.5 A Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V Supplier Device Package: KBP Technology: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Diode Type: Single Phase Mounting Type: Through Hole Package / Case: 4-SIP, KBP Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |