
KBP208 GeneSiC Semiconductor
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Technische Details KBP208 GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBP, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, KBP, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBP, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 2 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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KBP208 Produktcode: 123831
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![]() Gehäuse: KBP Urew: 800 V I dir: 2 A Zus.Info: Однофазний Монтаж: THT Імпульсний струм, А: 60 A |
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