KBP208 GeneSiC Semiconductor
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| 3+ | 1.33 EUR |
| 10+ | 1.17 EUR |
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| 100+ | 0.93 EUR |
| 250+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.72 EUR |
| 1000+ | 0.53 EUR |
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Technische Details KBP208 GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBP, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, KBP, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBP, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 2 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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KBP208 Produktcode: 123831
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : YJ |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und BaugruppenGehäuse: KBP Urew: 800 V I dir: 2 A Zus.Info: Однофазний Монтаж: THT Імпульсний струм, А: 60 A |
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| KBP208 | Hersteller : EIC Semiconductor |
Silicon Bridge Rectifiers 4Kbp |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| KBP208 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBPPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBP Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBP Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
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