KBP301G Taiwan Semiconductor
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| 34+ | 1.57 EUR |
| 39+ | 1.35 EUR |
| 100+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.61 EUR |
| 2000+ | 0.55 EUR |
| 5000+ | 0.5 EUR |
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Technische Details KBP301G Taiwan Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A KBP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-ESIP, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBP, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V, Current - Average Rectified (Io): 3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Weitere Produktangebote KBP301G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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KBP301G Produktcode: 192722 |
 Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen |
Produkt ist nicht verfügbar
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KBP301G | Hersteller : SMC Diode Solutions |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A KBP Packaging: Tube Package / Case: 4-ESIP Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBP Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
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